Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD20N10-66L-BE3
SUD20N10-66L-BE3

SUD20N10-66L-BE3 Vishay Siliconix

sud20n10-66l.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.04 грн
10+51.99 грн
100+35.89 грн
500+26.45 грн
1000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD20N10-66L-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SUD20N10-66L-BE3 за ціною від 19.89 грн до 89.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD20N10-66L-BE3 SUD20N10-66L-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sud20n10-66l.pdf MOSFETs TO252 100V 35A N-CH MOSFET
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.90 грн
10+60.26 грн
100+35.15 грн
500+27.89 грн
1000+25.32 грн
4000+20.84 грн
10000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD20N10-66L-BE3 SUD20N10-66L-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sud20n10-66l.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.