SUD20N10-66L-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 21.94 грн |
| 4000+ | 20.26 грн |
| 6000+ | 19.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD20N10-66L-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUD20N10-66L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.9 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SUD20N10-66L-GE3 за ціною від 19.03 грн до 79.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD20N10-66L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD20N10-66L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.9 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD20N10-66L-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 50 V |
на замовлення 6645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD20N10-66L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD20N10-66L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.9 A, 0.055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 10905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD20N10-66L-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Channel 100-V D-S |
на замовлення 5765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
SUD20N10-66L-GE3 Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 605 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SUD20N10-66L-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 16.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 41.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SUD20N10-66L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 16.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 41.7W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |