SUD23N06-31-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 28.67 грн |
| 4000+ | 25.98 грн |
| 6000+ | 25.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD23N06-31-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31.25W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SUD23N06-31-GE3 за ціною від 26.20 грн до 113.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD23N06-31-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD23N06-31-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17.1A Power dissipation: 31.25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD23N06-31-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V |
на замовлення 5361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD23N06-31-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
на замовлення 6646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD23N06-31-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31.25W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD23N06-31-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17.1A Power dissipation: 31.25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD23N06-31-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SUD23N06-31-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SUD23N06-31-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |