Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD23N06-31-GE3
SUD23N06-31-GE3

SUD23N06-31-GE3 Vishay Siliconix

sud23n06.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.81 грн
4000+27.02 грн
6000+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD23N06-31-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31.25W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUD23N06-31-GE3 за ціною від 27.24 грн до 109.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Виробник : Vishay sud23n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+70.23 грн
205+59.82 грн
240+51.16 грн
253+46.78 грн
500+40.59 грн
1000+36.52 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud23n06.pdf MOSFETs N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V
на замовлення 5361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.24 грн
10+66.56 грн
100+43.24 грн
250+43.16 грн
500+35.24 грн
1000+31.09 грн
2000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud23n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.75 грн
10+67.60 грн
100+46.05 грн
500+34.69 грн
1000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Виробник : VISHAY sud23n06.pdf Description: VISHAY - SUD23N06-31-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21.4 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31.25W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.20 грн
50+71.11 грн
100+48.51 грн
500+36.16 грн
1000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3 Виробник : VISHAY sud23n06.pdf SUD23N06-31-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.79 грн
28+40.76 грн
75+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Виробник : Vishay sud23n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Виробник : Vishay sud23n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Виробник : Vishay sud23n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.