Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD23N06-31-T4-GE3
SUD23N06-31-T4-GE3

SUD23N06-31-T4-GE3 Vishay Siliconix

sud23n06.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.11 грн
10+ 69.33 грн
100+ 53.92 грн
500+ 42.9 грн
1000+ 34.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD23N06-31-T4-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SUD23N06-31-T4-GE3 за ціною від 32.58 грн до 96.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUD23N06-31-T4-GE3 SUD23N06-31-T4-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud23n06.pdf MOSFET N-Channel 60-V (D-S)
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.58 грн
10+ 77.54 грн
100+ 52.74 грн
500+ 44.73 грн
1000+ 36.38 грн
2500+ 34.18 грн
5000+ 32.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
SUD23N06-31-T4-GE3 SUD23N06-31-T4-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud23n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній