SUD25N15-52-T4-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD25N15-52-T4-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc).
Інші пропозиції SUD25N15-52-T4-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
SUD25N15-52-T4-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-Channel 150-V D-S |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SUD25N15-52-T4-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Channel 150-V D-S
MOSFETs N-Channel 150-V D-S
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



