на замовлення 25640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.36 грн |
| 10+ | 132.77 грн |
| 100+ | 84.52 грн |
| 500+ | 70.10 грн |
| 1000+ | 64.44 грн |
| 2000+ | 59.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD35N10-26P-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V.
Інші пропозиції SUD35N10-26P-BE3 за ціною від 68.13 грн до 186.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD35N10-26P-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V |
на замовлення 1152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 4-Pin(3+Tab) TO-252 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
SUD35N10-26P-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SUD35N10-26P-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: 40A |
товару немає в наявності |