Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD35N10-26P-GE3
SUD35N10-26P-GE3

SUD35N10-26P-GE3 Vishay Siliconix

sud35n10-26p.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.96 грн
10+125.93 грн
100+88.62 грн
500+68.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD35N10-26P-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V.

Інші пропозиції SUD35N10-26P-GE3 за ціною від 44.73 грн до 186.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD35N10-26P-GE3 SUD35N10-26P-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud35n10-26p.pdf MOSFETs 100V 35A 83W 26mohm @ 10V
на замовлення 8946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.21 грн
10+137.00 грн
100+85.53 грн
500+70.95 грн
2000+64.15 грн
4000+61.93 грн
10000+59.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3 Виробник : Vishay sud35n10-26p.pdf N-Channel 100 V MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+44.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3 SUD35N10-26P-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud35n10-26p.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3 Виробник : VISHAY sud35n10-26p.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.