Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD40151EL-GE3
SUD40151EL-GE3

SUD40151EL-GE3 Vishay Siliconix

sud40151el.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.12 грн
10+115.39 грн
100+79.09 грн
500+59.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD40151EL-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SUD40151EL-GE3 за ціною від 59.96 грн до 190.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD40151EL-GE3 SUD40151EL-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud40151el.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-252
на замовлення 64875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.21 грн
10+127.04 грн
100+76.95 грн
500+61.18 грн
1000+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3 SUD40151EL-GE3 Виробник : Vishay sud40151el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3 SUD40151EL-GE3 Виробник : Vishay sud40151el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3 Виробник : Vishay sud40151el.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3 SUD40151EL-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud40151el.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40151EL-GE3 Виробник : VISHAY sud40151el.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -42A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -42A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 112nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.