
SUD40151EL-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 166.86 грн |
10+ | 114.52 грн |
100+ | 78.50 грн |
500+ | 59.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD40151EL-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SUD40151EL-GE3 за ціною від 59.51 грн до 179.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SUD40151EL-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 64881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SUD40151EL-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
SUD40151EL-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
SUD40151EL-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
SUD40151EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -42A; Idm: -100A Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -100A Drain current: -42A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 112nC On-state resistance: 17.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 50W Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
SUD40151EL-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
SUD40151EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -42A; Idm: -100A Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -100A Drain current: -42A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 112nC On-state resistance: 17.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 50W Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |