SUD40N08-16-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 103.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD40N08-16-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUD40N08-16-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUD40N08-16-E3 за ціною від 93.47 грн до 254.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD40N08-16-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 80V 40A 100W |
на замовлення 1592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUD40N08-16-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD40N08-16-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 7150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUD40N08-16-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
на замовлення 5153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | Виробник : VISHAY |
SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
SUD40N08-16-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SUD40N08-16-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 40A; Idm: 60A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 60nC Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |