Продукція > VISHAY > SUD50N025-06P-E3

SUD50N025-06P-E3 VISHAY


73349.pdf Виробник: VISHAY

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50N025-06P-E3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 25V 78A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 10.7W (Ta), 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V.

Інші пропозиції SUD50N025-06P-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUD50N025-06P-E3 Виробник : VISHAY 73349.pdf 06+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SUD50N025-06P-E3 SUD50N025-06P-E3 Виробник : Vishay Siliconix 73349.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 78A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.7W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V
товар відсутній
SUD50N025-06P-E3 SUD50N025-06P-E3 Виробник : Vishay / Siliconix 73349-1766155.pdf MOSFET 25V 78A 65W
товар відсутній