Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD50N03-06AP-E3
SUD50N03-06AP-E3

SUD50N03-06AP-E3 Vishay Siliconix

73540.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50N03-06AP-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SUD50N03-06AP-E3 за ціною від 42.98 грн до 163.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD50N03-06AP-E3 SUD50N03-06AP-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 73540.pdf MOSFETs 30V 90A 83W
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.92 грн
10+94.37 грн
100+65.09 грн
500+52.23 грн
1000+46.73 грн
2000+42.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3 SUD50N03-06AP-E3 Виробник : Vishay Siliconix 73540.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.51 грн
10+101.10 грн
100+68.78 грн
500+51.56 грн
1000+47.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3 73540.pdf
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N03-06AP-E3 Виробник : VISHAY 73540.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.