Продукція > VISHAY > SUD50N03-09P-E3

SUD50N03-09P-E3 VISHAY

Виробник: VISHAY
SOT-252

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SUD50N03-09P-E3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SUD50N03-09P-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SUD50N03-09P-E3	Виробник : VISHAY	09+	на замовлення 618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SUD50N03-09P-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 30V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SUD50N03-09P-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SUD50N03-09P-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 30V 63A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.