Технічний опис SUD50N04-05L-E3 VISHAY
Description: MOSFET N-CH 40V 115A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SUD50N04-05L-E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
SUD50N04-05L-E3 | Виробник : VISHAY | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
SUD50N04-05L-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SUD50N04-05L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 115A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SUD50N04-05L-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUD50N048M8P4GE3 |
товару немає в наявності |