Продукція > VISHAY > SUD50N04-8M8P-4GE3
SUD50N04-8M8P-4GE3

SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay


sud50n04.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
399+32.48 грн
403+32.15 грн
424+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48.1W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SUD50N04-8M8P-4GE3 за ціною від 31.59 грн до 149.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Виробник : Vishay sud50n04.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.69 грн
22+34.80 грн
25+34.45 грн
100+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50n04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Виробник : Vishay sud50n04.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+58.16 грн
307+42.18 грн
500+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Виробник : Vishay sud50n04.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+66.61 грн
25+62.11 грн
100+44.99 грн
500+42.95 грн
1000+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud50n04.pdf MOSFETs 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
на замовлення 7136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.38 грн
10+91.62 грн
100+52.62 грн
500+48.50 грн
2500+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Виробник : VISHAY sud50n04.pdf Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 48655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.20 грн
10+92.94 грн
100+61.80 грн
500+48.60 грн
1000+41.51 грн
5000+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50n04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 4638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.37 грн
10+92.29 грн
100+62.65 грн
500+46.90 грн
1000+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Виробник : Vishay sud50n04.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.