на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 135+ | 91.02 грн |
| 146+ | 83.78 грн |
| 151+ | 81.44 грн |
| 200+ | 78.33 грн |
| 500+ | 68.89 грн |
| 1000+ | 64.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD50N06-09L-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUD50N06-09L-E3 за ціною від 74.74 грн до 362.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SUD50N06-09L-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUD50N06-09L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUD50N06-09L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUD50N06-09L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUD50N06-09L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUD50N06-09L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUD50N06-09L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SUD50N06-09L-E3 | Виробник : VISHAY |
SUD50N06-09L-E3 SMD N channel transistors |
на замовлення 2539 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
SUD50N06-09L-E3 Код товару: 169164
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
SUD50N06-09L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SUD50N06-09L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SUD50N06-09L-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V |
товару немає в наявності |