Інші пропозиції SUD50N06-09L-E3 за ціною від 221.49 грн до 347.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD50N06-09L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SUD50N06-09L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 50A TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||
|
|
SUD50N06-09L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
SUD50N06-09L-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V |
товару немає в наявності |