Продукція > VISHAY > SUD50N06-09L-E3
SUD50N06-09L-E3

SUD50N06-09L-E3 Vishay

sud50n06.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
135+90.58 грн
146+83.38 грн
151+81.05 грн
200+77.96 грн
500+68.56 грн
1000+63.73 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50N06-09L-E3 Vishay

Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SUD50N06-09L-E3 за ціною від 66.51 грн до 352.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Виробник : Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+115.21 грн
4000+114.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Виробник : Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+124.07 грн
4000+122.85 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Виробник : VISHAY SUD50N06-09L-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.49 грн
13+70.33 грн
35+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Виробник : VISHAY SUD50N06-09L-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.99 грн
13+87.65 грн
35+79.81 грн
10000+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Виробник : Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+168.63 грн
10+122.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Виробник : VISHAY sud50n06.pdf Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+169.60 грн
500+145.25 грн
1000+114.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Виробник : VISHAY sud50n06.pdf Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+206.65 грн
50+188.53 грн
100+169.60 грн
500+145.25 грн
1000+114.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Виробник : Vishay Siliconix sud50n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.49 грн
10+224.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Виробник : Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 Виробник : Siliconix sud50n06.pdf N-MOSFET 60V 50A 9.3mΩ 136W SUD50N06-09L-E3 Vishay TSUD50N06-09L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3
Код товару: 169164
Додати до обраних Обраний товар

sud50n06.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Виробник : Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Виробник : Vishay Siliconix sud50n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Виробник : Vishay Semiconductors sud50n06.pdf MOSFETs 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.