Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SUD50N06-09L-E3

SUD50N06-09L-E3

sud50n06.pdf
Код товару: 169164
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SUD50N06-09L-E3 за ціною від 76.69 грн до 352.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+109.01 грн
146+100.34 грн
151+97.53 грн
200+93.81 грн
500+82.51 грн
1000+76.69 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+149.31 грн
4000+147.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+149.31 грн
4000+147.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.54 грн
10+158.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay Siliconix sud50n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.32 грн
10+224.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay sud50n06.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY sud50n06.pdf Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY sud50n06.pdf Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
135+109.01 грн
146+100.34 грн
151+97.53 грн
200+93.81 грн
500+82.51 грн
1000+76.69 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+149.31 грн
4000+147.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+149.31 грн
4000+147.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+218.54 грн
10+158.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+352.32 грн
10+224.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50N06-09L-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.