Продукція > VISHAY > SUD50P04-08-GE3
SUD50P04-08-GE3

SUD50P04-08-GE3 Vishay

sud50p0408.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+129.50 грн
139+101.83 грн
154+91.87 грн
250+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 109 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P04-08-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 73.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm.

Інші пропозиції SUD50P04-08-GE3 за ціною від 54.18 грн до 144.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 VISHAY sud50p04-08.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+144.04 грн
10+90.58 грн
50+65.18 грн
100+56.72 грн
125+55.02 грн
250+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Vishay Semiconductors sud50p04-08.pdf MOSFETs 40V 50A P-CH MOSFET
на замовлення 27874 шт:
термін постачання 281-290 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 VISHAY VISH-S-A0009497827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 73.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 17575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 sud50p04-08.pdf
SUD50P04-08-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+144.04 грн
10+90.58 грн
50+65.18 грн
100+56.72 грн
125+55.02 грн
250+54.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 sud50p04-08.pdf
SUD50P04-08-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 50A P-CH MOSFET
на замовлення 27874 шт:
термін постачання 281-290 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 VISH-S-A0009497827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD50P04-08-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 73.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 17575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.