SUD50P04-08-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 39.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD50P04-08-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SUD50P04-08-GE3 за ціною від 34.98 грн до 120.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 73.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -50A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 73.5W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 159nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 73.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -50A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 73.5W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 159nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V |
на замовлення 6155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 40V 50A P-CH MOSFET |
на замовлення 27864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 73.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm |
на замовлення 66789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |