на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 42.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD50P04-08-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0081 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUD50P04-08-GE3 за ціною від 37.03 грн до 160.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V |
на замовлення 15100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -50A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 73.5W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 159nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V 50A P-CH MOSFET |
на замовлення 15878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -50A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 73.5W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 159nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V |
на замовлення 15786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0081 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 73.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 38012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SUD50P04-08-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |