Продукція > VISHAY > SUD50P04-08-GE3
SUD50P04-08-GE3

SUD50P04-08-GE3 Vishay

sud50p04-08.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P04-08-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SUD50P04-08-GE3 за ціною від 36.54 грн до 147.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p04-08.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+44.71 грн
4000+40.07 грн
6000+39.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : VISHAY sud50p04-08.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.70 грн
10+73.92 грн
50+59.76 грн
100+53.47 грн
250+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : VISHAY sud50p04-08.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.04 грн
10+92.11 грн
50+71.72 грн
100+64.17 грн
250+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud50p04-08.pdf MOSFETs 40V 50A P-CH MOSFET
на замовлення 12503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.03 грн
10+98.10 грн
100+57.30 грн
500+45.52 грн
1000+42.88 грн
2000+38.50 грн
4000+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p04-08.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 15786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.45 грн
10+94.44 грн
100+63.93 грн
500+47.69 грн
1000+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0009497827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P04-08-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 36425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.35 грн
10+110.09 грн
100+74.52 грн
500+55.04 грн
1000+47.04 грн
5000+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : Vishay sud50p0408.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Виробник : Vishay sud50p0408.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.