Продукція > VISHAY > SUD50P06-15-GE3
SUD50P06-15-GE3

SUD50P06-15-GE3 Vishay

sud50p0615.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P06-15-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SUD50P06-15-GE3 за ціною від 65.75 грн до 289.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p06-15.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+69.72 грн
4000+67.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+93.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+99.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0009497828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.30 грн
500+92.46 грн
1000+83.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY sud50p06-15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 113W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+210.64 грн
5+166.83 грн
10+145.47 грн
50+94.51 грн
100+79.72 грн
125+75.61 грн
250+66.57 грн
500+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p06-15.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 8249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.14 грн
10+137.28 грн
100+95.53 грн
500+77.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud50p06-15.pdf MOSFETs 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
на замовлення 15880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.00 грн
10+148.40 грн
100+90.12 грн
500+77.83 грн
2000+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY sud50p06-15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 113W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.77 грн
5+207.90 грн
10+174.56 грн
50+113.41 грн
100+95.66 грн
125+90.73 грн
250+79.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+274.81 грн
65+200.69 грн
101+129.32 грн
125+122.04 грн
250+91.69 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+289.77 грн
69+188.87 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0009497828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - MOSFET, P-KANAL, -60V, -50A, TO-252-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 8357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+255.69 грн
50+166.48 грн
100+116.30 грн
500+92.46 грн
1000+83.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.