Продукція > VISHAY > SUD50P06-15-GE3
SUD50P06-15-GE3

SUD50P06-15-GE3 Vishay

sud50p06-15.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P06-15-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUD50P06-15-GE3 за ціною від 63.45 грн до 254.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p06-15.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+78.74 грн
4000+75.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+91.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0009497828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+121.02 грн
500+88.68 грн
1000+76.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+121.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 79194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
98+125.12 грн
102+119.52 грн
250+114.73 грн
500+106.63 грн
1000+95.52 грн
2500+88.98 грн
5000+86.59 грн
10000+84.47 грн
25000+82.59 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+130.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+171.21 грн
89+137.94 грн
103+118.47 грн
500+93.11 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY sud50p06-15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+200.88 грн
10+149.08 грн
14+67.28 грн
37+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p06-15.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 5755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.26 грн
10+155.04 грн
100+107.90 грн
500+82.34 грн
1000+76.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY sud50p06-15.pdf Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+240.40 грн
50+171.25 грн
100+125.96 грн
500+94.80 грн
1000+81.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY sud50p06-15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.06 грн
10+185.77 грн
14+80.73 грн
37+76.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud50p06-15.pdf MOSFETs 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
на замовлення 16132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.30 грн
10+168.80 грн
100+107.15 грн
500+87.34 грн
1000+80.73 грн
2000+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p0615.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.