| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 67.76 грн |
| 4000+ | 67.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD50P06-15-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SUD50P06-15-GE3 за ціною від 68.70 грн до 299.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD50P06-15-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SUD50P06-15-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SUD50P06-15-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 8357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SUD50P06-15-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -50A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 113W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 165nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2421 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SUD50P06-15-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V |
на замовлення 8249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SUD50P06-15-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SUD50P06-15-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 50A 113W 15mohm @ 10V |
на замовлення 12280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SUD50P06-15-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 5628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4950 @ 25, Qg, нКл = 165, Rds = 15 мОм, Ugs(th) = 3, Р, Вт = 113, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-252 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 520 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| SUD50P06-15-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
P-Channel 60V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |