Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD50P06-15-GE3
SUD50P06-15-GE3

SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix

sud50p06-15.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+77.04 грн
6000+ 71.4 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.

Інші пропозиції SUD50P06-15-GE3 за ціною від 57.03 грн до 195.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0009497828-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 20658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+120.58 грн
500+ 108.49 грн
1000+ 85.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p06-15.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+132.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY sud50p06-15.pdf Description: VISHAY - SUD50P06-15-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 20658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+151.28 грн
50+ 136.3 грн
100+ 120.58 грн
500+ 108.49 грн
1000+ 85.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY sud50p06-15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 113W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+163.27 грн
10+ 135.61 грн
14+ 60.5 грн
37+ 57.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p06-15.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 11488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.43 грн
10+ 136.65 грн
100+ 108.77 грн
500+ 86.37 грн
1000+ 73.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p06-15.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
69+171.62 грн
85+ 138.46 грн
100+ 129.69 грн
200+ 124.12 грн
500+ 102.73 грн
1000+ 91.94 грн
Мінімальне замовлення: 69
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud50p06-15.pdf MOSFET 60V 50A 113W 15mohm @ 10V
на замовлення 24945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.05 грн
10+ 155.85 грн
100+ 107.49 грн
500+ 91.46 грн
1000+ 77.44 грн
2000+ 73.44 грн
4000+ 70.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : VISHAY sud50p06-15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 113W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.92 грн
10+ 168.99 грн
14+ 72.6 грн
37+ 68.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p06-15.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p06-15.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Виробник : Vishay sud50p06-15.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній