Інші пропозиції SUD50P06-15L-E3 за ціною від 74.77 грн до 278.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD50P06-15L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUD50P06-15L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUD50P06-15L-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -50A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 136W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 165nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2281 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUD50P06-15L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V |
на замовлення 8917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUD50P06-15L-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-CH 60V 50A |
на замовлення 19082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUD50P06-15L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P06-15L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 |
|
на замовлення 6380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SUD50P06-15L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SUD50P06-15L-E3 | Виробник : Vishay |
MOSFET P-CH 60V 50A TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |