Інші пропозиції SUD50P08-25L-BE3 за ціною від 66.75 грн до 252.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUD50P08-25L-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO252 P CHAN 80V |
на замовлення 47156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SUD50P08-25L-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
на замовлення 2569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SUD50P08-25L-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SUD50P08-25L-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 4-Pin(3+Tab) TO-252 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
SUD50P08-25L-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |


