Інші пропозиції SUD50P08-25L-BE3 за ціною від 67.17 грн до 253.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD50P08-25L-BE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs TO252 P CHAN 80V |
на замовлення 47156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUD50P08-25L-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
на замовлення 2569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SUD50P08-25L-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 P CHAN 80V
MOSFETs TO252 P CHAN 80V
на замовлення 47156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.25 грн |
| 10+ | 151.77 грн |
| 100+ | 92.17 грн |
| 500+ | 75.41 грн |
| 1000+ | 69.69 грн |
| 2000+ | 67.17 грн |
| SUD50P08-25L-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
Description: MOSFET P-CH 80V 12.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.74 грн |
| 10+ | 159.24 грн |
| 100+ | 110.81 грн |
| 500+ | 84.56 грн |
| 1000+ | 78.32 грн |