Інші пропозиції SUD50P08-25L-E3 за ціною від 43.27 грн до 299.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V |
на замовлення 114504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V |
на замовлення 4726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD50P08-25L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay |
P-Channel 80V 50A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SUD50P08-25L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 80V 50A TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |