Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SUD50P08-25L-E3

SUD50P08-25L-E3

sud50p08.pdf
Код товару: 133983
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SUD50P08-25L-E3 за ціною від 47.20 грн до 257.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay Siliconix sud50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+78.87 грн
4000+71.37 грн
6000+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+100.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay Siliconix sud50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 14959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.13 грн
10+155.29 грн
100+108.07 грн
500+82.48 грн
1000+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+257.73 грн
10+175.26 грн
25+158.59 грн
100+125.57 грн
250+115.11 грн
500+101.80 грн
1000+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+257.73 грн
81+175.26 грн
89+158.59 грн
109+125.57 грн
250+115.11 грн
500+101.80 грн
1000+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay Semiconductors sud50p08.pdf MOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V
на замовлення 92635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 VISHAY sud50p08.pdf Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 VISHAY sud50p08.pdf Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+78.87 грн
4000+71.37 грн
6000+70.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+100.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 14959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.13 грн
10+155.29 грн
100+108.07 грн
500+82.48 грн
1000+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+257.73 грн
10+175.26 грн
25+158.59 грн
100+125.57 грн
250+115.11 грн
500+101.80 грн
1000+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+257.73 грн
81+175.26 грн
89+158.59 грн
109+125.57 грн
250+115.11 грн
500+101.80 грн
1000+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V
на замовлення 92635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 6546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.