Продукція > VISHAY > SUD50P08-25L-E3
SUD50P08-25L-E3

SUD50P08-25L-E3 Vishay

sud50p08.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P08-25L-E3 Vishay

Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUD50P08-25L-E3 за ціною від 40.81 грн до 234.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+80.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+81.59 грн
4000+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : VISHAY VISHS75787-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 16205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.79 грн
500+108.82 грн
1000+94.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : VISHAY sud50p08.pdf Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 15860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.37 грн
10+161.76 грн
100+122.14 грн
500+88.89 грн
1000+76.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+206.91 грн
10+140.70 грн
25+127.32 грн
100+100.81 грн
250+92.42 грн
500+81.73 грн
1000+74.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+222.83 грн
81+151.53 грн
89+137.11 грн
109+108.57 грн
250+99.53 грн
500+88.01 грн
1000+80.48 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.42 грн
10+158.86 грн
100+111.79 грн
500+85.32 грн
1000+79.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay Semiconductors sud50p08.pdf MOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V
на замовлення 132580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.59 грн
10+162.44 грн
100+107.41 грн
250+106.67 грн
500+87.55 грн
1000+80.92 грн
2000+77.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay sud50p08.pdf Транз. Пол. БМ TO-252-3 MOSFET P-channel 80 V; 50 A; Pmax=136 W
на замовлення 190 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 Виробник : VISHAY sud50p08.pdf SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.71 грн
10+114.95 грн
26+108.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3
Код товару: 133983
Додати до обраних Обраний товар

sud50p08.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Виробник : Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.