Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SUD50P08-25L-E3

SUD50P08-25L-E3

SUD50P08-25L-E3.pdf
Код товару: 133983
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SUD50P08-25L-E3 за ціною від 72.12 грн до 272.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay Siliconix SUD50P08-25L-E3.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+80.16 грн
6000+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+106.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay sud50p08.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+226.31 грн
87+168.88 грн
100+150.50 грн
250+139.59 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 VISHAY SUD50P08-25L-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -50A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+246.87 грн
5+178.29 грн
10+105.28 грн
26+99.33 грн
250+95.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay Siliconix SUD50P08-25L-E3.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 22405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.54 грн
10+157.87 грн
50+121.54 грн
100+103.08 грн
500+83.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay Semiconductors SUD50P08-25L-E3.pdf MOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V
на замовлення 66637 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+272.10 грн
10+135.84 грн
100+106.08 грн
500+86.52 грн
2000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 VISHAY SUD50P08-25L-E3.pdf Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
на замовлення 8771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 VISHAY SUD50P08-25L-E3.pdf Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
на замовлення 8771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+80.16 грн
6000+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+106.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
65+226.31 грн
87+168.88 грн
100+150.50 грн
250+139.59 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -50A; Idm: -40A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.87 грн
5+178.29 грн
10+105.28 грн
26+99.33 грн
250+95.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 22405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.54 грн
10+157.87 грн
50+121.54 грн
100+103.08 грн
500+83.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 80V 50A 136W 25.2mohm @ 10V
на замовлення 66637 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.10 грн
10+135.84 грн
100+106.08 грн
500+86.52 грн
2000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
на замовлення 8771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P08-25L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
на замовлення 8771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.