Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD50P10-43L-BE3
SUD50P10-43L-BE3

SUD50P10-43L-BE3 Vishay Siliconix

sud50p10-43l-ge3.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.76 грн
10+154.66 грн
100+107.60 грн
500+82.11 грн
1000+76.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P10-43L-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SUD50P10-43L-BE3 за ціною від 77.79 грн до 225.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD50P10-43L-BE3 SUD50P10-43L-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sud50p10-43l-ge3.pdf MOSFETs TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET
на замовлення 20652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.19 грн
10+170.49 грн
100+106.42 грн
500+87.34 грн
1000+80.00 грн
2000+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 Виробник : Vishay sud50p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 SUD50P10-43L-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p10-43l-ge3.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.