Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD50P10-43L-BE3
SUD50P10-43L-BE3

SUD50P10-43L-BE3 Vishay Siliconix

SUD50P10-43L-BE3.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+82.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P10-43L-BE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUD50P10-43L-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 113.6W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm.

Інші пропозиції SUD50P10-43L-BE3 за ціною від 78.98 грн до 275.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUD50P10-43L-BE3 SUD50P10-43L-BE3 Vishay Siliconix SUD50P10-43L-BE3.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.39 грн
10+162.22 грн
50+124.90 грн
100+105.92 грн
500+86.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 SUD50P10-43L-BE3 Vishay / Siliconix SUD50P10-43L-BE3.pdf MOSFETs TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+275.59 грн
10+138.77 грн
100+107.50 грн
500+88.49 грн
1000+85.57 грн
2000+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 SUD50P10-43L-BE3 VISHAY sud50p10-43l-ge3.pdf Description: VISHAY - SUD50P10-43L-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 SUD50P10-43L-BE3 VISHAY sud50p10-43l-ge3.pdf Description: VISHAY - SUD50P10-43L-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 SUD50P10-43L-BE3.pdf
SUD50P10-43L-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.39 грн
10+162.22 грн
50+124.90 грн
100+105.92 грн
500+86.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 SUD50P10-43L-BE3.pdf
SUD50P10-43L-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.59 грн
10+138.77 грн
100+107.50 грн
500+88.49 грн
1000+85.57 грн
2000+78.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 sud50p10-43l-ge3.pdf
SUD50P10-43L-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-BE3 sud50p10-43l-ge3.pdf
SUD50P10-43L-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.