Продукція > VISHAY > SUD50P10-43L-E3

SUD50P10-43L-E3 VISHAY


sud50p10.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 160nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+246.87 грн
10+149.43 грн
11+88.30 грн
31+84.05 грн
500+83.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P10-43L-E3 VISHAY

Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm.

Інші пропозиції SUD50P10-43L-E3 за ціною від 141.06 грн до 258.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Vishay sud50p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 37.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+258.38 грн
100+180.46 грн
250+158.58 грн
500+141.06 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 VISHAY sud50p10.pdf Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 sud50p10.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 37.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
57+258.38 грн
100+180.46 грн
250+158.58 грн
500+141.06 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 sud50p10.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.