Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD50P10-43L-E3
SUD50P10-43L-E3

SUD50P10-43L-E3 Vishay Siliconix

sud50p10.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+71.32 грн
4000+68.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD50P10-43L-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SUD50P10-43L-E3 за ціною від 73.91 грн до 252.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Виробник : Vishay sud50p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+147.51 грн
10+129.01 грн
25+106.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Виробник : VISHAY sud50p10.pdf Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 15562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.35 грн
10+151.30 грн
100+118.76 грн
500+98.19 грн
1000+89.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Виробник : VISHAY sud50p10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
Pulsed drain current: -40A
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 95W
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
на замовлення 886 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+202.46 грн
10+120.01 грн
100+94.84 грн
250+85.60 грн
500+79.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Виробник : Vishay Siliconix sud50p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 8134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.34 грн
10+140.49 грн
100+97.75 грн
500+78.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Виробник : Vishay Semiconductors sud50p10.pdf MOSFETs 100V 37A 136W 43mohm @ 10V
на замовлення 14227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.17 грн
10+161.17 грн
100+97.61 грн
500+79.48 грн
1000+78.79 грн
2000+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Виробник : Vishay sud50p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 Виробник : Vishay sud50p10.pdf Trasistor P-MOSFET; 100V; 20V; 48mOhm; 37,1A; 136W; -55°C ~ 175°C; Substitute: SUD50P10-43L-GE3; SUD50P10-43L-E3; SUD50P10-43L TSUD50P10-43L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Виробник : Vishay sud50p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 Виробник : Vishay Siliconix SUD50P10-43.pdf MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.