SUD50P10-43L-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 74.84 грн |
| 4000+ | 72.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD50P10-43L-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUD50P10-43L-GE3 за ціною від 77.79 грн до 224.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD50P10-43L-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD50P10-43L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD50P10-43L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD50P10-43L-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V 37A P-Channel |
на замовлення 26018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD50P10-43L-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
на замовлення 4924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD50P10-43L-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SUD50P10-43L-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SUD50P10-43L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36.4A; Idm: -40A; 72.7W Drain-source voltage: -100V Drain current: -36.4A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 72.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SUD50P10-43L-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36.4A; Idm: -40A; 72.7W Drain-source voltage: -100V Drain current: -36.4A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 72.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 |
товару немає в наявності |