Продукція > VISHAY > SUD70090E-GE3
SUD70090E-GE3

SUD70090E-GE3 Vishay

sud70090e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
182+67.18 грн
183+66.51 грн
208+58.67 грн
250+56.46 грн
500+50.89 грн
1000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 182
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD70090E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUD70090E-GE3 за ціною від 44.12 грн до 169.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 Виробник : Vishay sud70090e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+71.90 грн
10+62.38 грн
25+61.76 грн
100+52.53 грн
250+48.55 грн
500+45.36 грн
1000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 Виробник : VISHAY sud70090e.pdf Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.45 грн
500+73.39 грн
1000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 Виробник : VISHAY sud70090e.pdf Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.20 грн
10+93.86 грн
100+86.45 грн
500+73.39 грн
1000+61.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sud70090e.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 21135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.00 грн
10+94.53 грн
100+77.79 грн
4000+76.33 грн
10000+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud70090e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.89 грн
10+104.81 грн
100+71.34 грн
500+53.51 грн
1000+49.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 Виробник : Vishay sud70090e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 Виробник : Vishay sud70090e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 Виробник : VISHAY sud70090e.pdf SUD70090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sud70090e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.