SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 47.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 8900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUD70090E-GE3 за ціною від 48.55 грн до 127.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD70090E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD70090E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V |
на замовлення 4214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD70090E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 19077 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD70090E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD70090E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 8900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUD70090E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 8900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUD70090E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SUD70090E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |