
на замовлення 21963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.34 грн |
10+ | 66.00 грн |
100+ | 39.19 грн |
500+ | 32.73 грн |
1000+ | 26.93 грн |
2000+ | 25.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD80460E-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SUD80460E-BE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SUD80460E-BE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
SUD80460E-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |