Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD80460E-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.
Інші пропозиції SUD80460E-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SUD80460E-BE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AAInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SUD80460E-BE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SUD80460E-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SUD80460E-BE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.