SUD80460E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 24.77 грн |
| 4000+ | 21.89 грн |
| 6000+ | 21.09 грн |
| 10000+ | 18.81 грн |
| 14000+ | 18.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUD80460E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SUD80460E-GE3 за ціною від 22.57 грн до 82.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SUD80460E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44.7mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 65.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V |
на замовлення 18869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUD80460E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ. |
на замовлення 5376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|