Продукція > VISHAY SILICONIX > SUD90330E-BE3
SUD90330E-BE3

SUD90330E-BE3 Vishay Siliconix

sud90330e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+44.72 грн
4000+40.11 грн
6000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUD90330E-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SUD90330E-BE3 за ціною від 39.99 грн до 152.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD90330E-BE3 SUD90330E-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sud90330e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 200V (D-S)
на замовлення 26665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.85 грн
10+103.21 грн
100+62.11 грн
500+49.52 грн
1000+46.29 грн
2000+40.39 грн
4000+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD90330E-BE3 SUD90330E-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sud90330e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
на замовлення 6705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.44 грн
10+94.06 грн
100+63.73 грн
500+47.63 грн
1000+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.