SUG80050E-GE3

SUG80050E-GE3 Vishay Semiconductors


sug80050e.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-247
на замовлення 2390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.56 грн
10+274.30 грн
100+171.77 грн
500+143.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUG80050E-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 75 V.

Інші пропозиції SUG80050E-GE3 за ціною від 143.25 грн до 394.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUG80050E-GE3 SUG80050E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sug80050e.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 75 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+394.30 грн
10+254.03 грн
100+182.94 грн
500+143.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3 Виробник : VISHAY sug80050e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247
Technology: TrenchFET®
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
On-state resistance: 6.3mΩ
Power dissipation: 500W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 150V
Pulsed drain current: 300A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.