Продукція > VISHAY > SUG80050E-GE3
SUG80050E-GE3

SUG80050E-GE3 Vishay

sug80050e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+231.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUG80050E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUG80050E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUG80050E-GE3 за ціною від 150.90 грн до 451.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUG80050E-GE3 SUG80050E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sug80050e.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 75 V
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.36 грн
10+267.60 грн
100+192.71 грн
500+150.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3 SUG80050E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sug80050e.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-247
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+421.31 грн
10+300.52 грн
100+188.18 грн
500+157.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3 SUG80050E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0011300588-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUG80050E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+451.26 грн
10+323.91 грн
100+234.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3 SUG80050E-GE3 Виробник : Vishay sug80050e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3 SUG80050E-GE3 Виробник : Vishay sug80050e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.