на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 228.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUG80050E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUG80050E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SUG80050E-GE3 за ціною від 161.92 грн до 444.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUG80050E-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SUG80050E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0045 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUG80050E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 75 V |
на замовлення 803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUG80050E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-247 |
на замовлення 2446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUG80050E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SUG80050E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SUG80050E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 100A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 100A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 500W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SUG80050E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 100A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 100A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 500W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |