SUG90090E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 100 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 338.22 грн |
| 25+ | 205.59 грн |
| 100+ | 169.60 грн |
| 500+ | 132.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUG90090E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUG90090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0079 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SUG90090E-GE3 за ціною від 142.18 грн до 383.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUG90090E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUG90090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0079 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUG90090E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds ThunderFET 100A Id +/-20V Vgs |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUG90090E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SUG90090E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 395W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 129nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SUG90090E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 395W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 129nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |