Продукція > VISHAY > SUM110N10-09-E3
SUM110N10-09-E3

SUM110N10-09-E3 Vishay

sum110n1.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+139.10 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM110N10-09-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SUM110N10-09-E3 за ціною від 164.50 грн до 407.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 Виробник : Vishay sum110n1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+187.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 Виробник : Vishay sum110n1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+229.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 Виробник : Vishay sum110n1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+243.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 Виробник : Vishay Siliconix sum110n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+269.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 Виробник : VISHAY sum110n1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 87A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+339.45 грн
6+183.15 грн
14+172.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 Виробник : Vishay Siliconix sum110n1.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.82 грн
10+262.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 Виробник : Vishay / Siliconix sum110n1.pdf MOSFETs 100V 110A 375W
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.15 грн
10+283.77 грн
100+221.10 грн
500+209.03 грн
800+172.80 грн
4800+164.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 Виробник : VISHAY sum110n1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 87A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.34 грн
6+228.23 грн
14+207.52 грн
800+199.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 Виробник : Vishay sum110n1.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.