Продукція > VISHAY > SUM110P04-05-E3
SUM110P04-05-E3

SUM110P04-05-E3 Vishay

73493.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+154.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM110P04-05-E3 Vishay

Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUM110P04-05-E3 за ціною від 142.72 грн до 414.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Виробник : Vishay Siliconix 73493.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 31850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+162.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Виробник : Vishay 73493.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+166.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001108842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+200.78 грн
250+181.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Виробник : Vishay 73493.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+221.91 грн
10+197.66 грн
25+156.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Виробник : Vishay 73493.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+238.98 грн
58+212.87 грн
73+169.02 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4A40B8CA94469&compId=SUM110P04-05-E3.pdf?ci_sign=c73bb0c5e5d86e28cf454a53056df20333807a2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -33A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+345.79 грн
4+229.90 грн
11+216.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001108842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+358.17 грн
10+274.82 грн
50+256.66 грн
100+200.78 грн
250+181.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 73493.pdf MOSFETs 40V 110A 375W
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.51 грн
10+281.73 грн
25+225.12 грн
100+188.33 грн
800+148.61 грн
2400+145.66 грн
4800+142.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Виробник : Vishay Siliconix 73493.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 31910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.07 грн
10+274.81 грн
100+197.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4A40B8CA94469&compId=SUM110P04-05-E3.pdf?ci_sign=c73bb0c5e5d86e28cf454a53056df20333807a2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -33A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.95 грн
4+286.49 грн
11+260.25 грн
800+256.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 Виробник : Vishay Siliconix 73493.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 110; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 280; Rds = 5 мОм; Ugs(th) = 4 В; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Виробник : Vishay 73493.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.