Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM110P04-05-E3
SUM110P04-05-E3

SUM110P04-05-E3 Vishay Siliconix

73493.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+152.43 грн
1600+137.95 грн
2400+137.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM110P04-05-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

Інші пропозиції SUM110P04-05-E3 за ціною від 127.71 грн до 447.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Vishay 73493.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+201.47 грн
1600+200.72 грн
2400+197.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Vishay 73493.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+201.47 грн
1600+200.72 грн
2400+197.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 VISHAY VISH-S-A0024174259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+207.16 грн
250+187.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 VISHAY SUM110P04-05-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -33A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+356.16 грн
5+276.71 грн
10+245.97 грн
25+207.74 грн
50+183.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Vishay Siliconix 73493.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 18125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.74 грн
10+257.34 грн
100+184.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 Vishay Semiconductors 73493.pdf MOSFETs 40V 110A 375W
на замовлення 7048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.56 грн
10+255.63 грн
100+171.89 грн
500+136.69 грн
800+129.09 грн
2400+127.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 VISHAY 73493.pdf Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.00 грн
10+298.00 грн
50+260.95 грн
100+207.16 грн
250+187.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 Vishay Siliconix 73493.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 110, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 280, Rds = 5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
800+187.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 73493.pdf
SUM110P04-05-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+201.47 грн
1600+200.72 грн
2400+197.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 73493.pdf
SUM110P04-05-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+201.47 грн
1600+200.72 грн
2400+197.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 VISH-S-A0024174259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM110P04-05-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+207.16 грн
250+187.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3.pdf
SUM110P04-05-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -33A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+356.16 грн
5+276.71 грн
10+245.97 грн
25+207.74 грн
50+183.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 73493.pdf
SUM110P04-05-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 18125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+400.74 грн
10+257.34 грн
100+184.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 73493.pdf
SUM110P04-05-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 110A 375W
на замовлення 7048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+411.56 грн
10+255.63 грн
100+171.89 грн
500+136.69 грн
800+129.09 грн
2400+127.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 73493.pdf
SUM110P04-05-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+447.00 грн
10+298.00 грн
50+260.95 грн
100+207.16 грн
250+187.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P04-05-E3 73493.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 110, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 280, Rds = 5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+187.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.