SUM110P06-07L-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
на замовлення 22165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 127.66 грн |
| 1600+ | 121.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM110P06-07L-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.75W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SUM110P06-07L-E3 за ціною від 118.53 грн до 409.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 31143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 110A 375W |
на замовлення 12103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V |
на замовлення 22165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 30235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Siliconix |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM110P06-07L TSUM110P06-07l кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
SUM110P06-07L-E3 Код товару: 141393
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|