на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 107.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM110P06-07L-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SUM110P06-07L-E3 за ціною від 105.56 грн до 295.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 3.75W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 14523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 110A 375W |
на замовлення 16047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A; 375W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -110A Pulsed drain current: -240A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 345nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 20800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V |
на замовлення 108637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A; 375W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -110A Pulsed drain current: -240A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 345nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1627 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.75W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm |
на замовлення 27920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM110P06-07L-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM110P06-07L-E3 Код товару: 141393 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|