Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SUM110P06-07L-E3

SUM110P06-07L-E3

sum110p06-07l.pdf
Код товару: 141393
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SUM110P06-07L-E3 за ціною від 139.71 грн до 376.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay Siliconix sum110p06-07l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+151.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay sum110p0607l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+169.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay sum110p0607l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+170.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay sum110p0607l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+170.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay sum110p0607l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+183.78 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay sum110p0607l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.09 грн
10+192.21 грн
25+192.11 грн
100+185.16 грн
250+171.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay sum110p0607l.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.09 грн
74+192.11 грн
100+185.16 грн
250+171.36 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY sum110p06-07l.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+324.41 грн
3+258.57 грн
10+215.89 грн
50+169.03 грн
100+151.46 грн
250+148.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay Siliconix sum110p06-07l.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
на замовлення 26786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.96 грн
10+241.29 грн
100+172.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY VISH-S-A0025729372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 22108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 Vishay Semiconductors sum110p06-07l.pdf MOSFETs 60V 110A 375W
на замовлення 14227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY VISH-S-A0025729372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 27631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY VISH-S-A0001113434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 Siliconix sum110p06-07l.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM110P06-07L TSUM110P06-07l
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+139.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+151.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 sum110p0607l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+169.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 sum110p0607l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+170.00 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 sum110p0607l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+170.47 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 sum110p0607l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+183.78 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 sum110p0607l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+194.09 грн
10+192.21 грн
25+192.11 грн
100+185.16 грн
250+171.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 sum110p0607l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+194.09 грн
74+192.11 грн
100+185.16 грн
250+171.36 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+324.41 грн
3+258.57 грн
10+215.89 грн
50+169.03 грн
100+151.46 грн
250+148.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
на замовлення 26786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+376.96 грн
10+241.29 грн
100+172.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 VISH-S-A0025729372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM110P06-07L-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.75W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
на замовлення 22108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 110A 375W
на замовлення 14227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 VISH-S-A0025729372-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM110P06-07L-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 27631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 VISH-S-A0001113434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM110P06-07L-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM110P06-07L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C; SUM110P06-07L TSUM110P06-07l
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+139.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.