Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM110P06-08L-E3
SUM110P06-08L-E3

SUM110P06-08L-E3 Vishay Siliconix

73045.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+132.17 грн
1600+126.26 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM110P06-08L-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 272W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SUM110P06-08L-E3 за ціною від 138.07 грн до 459.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 VISHAY SILXS11755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+205.66 грн
250+184.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 Vishay Siliconix 73045.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.26 грн
10+224.51 грн
100+160.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 Vishay Semiconductors 73045.pdf MOSFETs 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V
на замовлення 131530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.36 грн
10+206.41 грн
100+148.42 грн
500+138.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 SUM110P06-08L-E3 VISHAY SILXS11755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.88 грн
10+301.22 грн
50+282.69 грн
100+205.66 грн
250+184.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 Vishay 73045.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 272W; -55°C~175°C; SUM110P06-08L-E3 TSUM110P06-08l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+171.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P0608LE3 VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 SILXS11755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM110P06-08L-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+205.66 грн
250+184.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 73045.pdf
SUM110P06-08L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+350.26 грн
10+224.51 грн
100+160.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 73045.pdf
SUM110P06-08L-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 110A 272W 8.0mohm @ 10V
на замовлення 131530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+412.36 грн
10+206.41 грн
100+148.42 грн
500+138.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 SILXS11755-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM110P06-08L-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM110P06-08L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+459.88 грн
10+301.22 грн
50+282.69 грн
100+205.66 грн
250+184.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P06-08L-E3 73045.pdf
Виробник: Vishay
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 10,5mOhm; 110A; 272W; -55°C~175°C; SUM110P06-08L-E3 TSUM110P06-08l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+171.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P0608LE3
Виробник: VISHAY
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.