Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM110P08-11L-E3
SUM110P08-11L-E3

SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix

sum110p0.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+150.78 грн
1600+144.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUM110P08-11L-E3 за ціною від 133.53 грн до 498.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : Vishay sum110p0.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+193.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0024174231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+202.70 грн
500+147.13 грн
1000+133.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : Vishay Siliconix sum110p0.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 19958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.91 грн
10+255.13 грн
100+182.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0024174231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+440.82 грн
10+307.16 грн
50+263.78 грн
100+204.66 грн
250+185.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : Vishay / Siliconix sum110p0.pdf MOSFETs 80V 110A 375W
на замовлення 75892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.96 грн
10+322.14 грн
100+205.95 грн
500+171.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 Виробник : VISHAY sum110p0.pdf SUM110P08-11L-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 401 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.19 грн
4+301.82 грн
11+285.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : Vishay sum110p0.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 Виробник : Vishay sum110p0.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.