Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM110P08-11L-E3
SUM110P08-11L-E3

SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix

sum110p0.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+138.77 грн
1600+133.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUM110P08-11L-E3 за ціною від 151.53 грн до 424.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 VISHAY VISH-S-A0024174231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+188.36 грн
250+170.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 VISHAY sum110p08-11l.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+360.26 грн
5+272.33 грн
10+240.39 грн
25+234.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix sum110p0.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 19958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.29 грн
10+234.81 грн
100+168.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Vishay / Siliconix sum110p0.pdf MOSFETs 80V 110A 375W
на замовлення 70853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.03 грн
10+272.22 грн
100+169.68 грн
500+151.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 VISHAY VISH-S-A0024174231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+424.44 грн
10+284.31 грн
50+243.58 грн
100+188.36 грн
250+170.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 VISH-S-A0024174231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM110P08-11L-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+188.36 грн
250+170.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 sum110p08-11l.pdf
SUM110P08-11L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+360.26 грн
5+272.33 грн
10+240.39 грн
25+234.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 sum110p0.pdf
SUM110P08-11L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 19958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+365.29 грн
10+234.81 грн
100+168.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 sum110p0.pdf
SUM110P08-11L-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 80V 110A 375W
на замовлення 70853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+413.03 грн
10+272.22 грн
100+169.68 грн
500+151.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 VISH-S-A0024174231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM110P08-11L-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+424.44 грн
10+284.31 грн
50+243.58 грн
100+188.36 грн
250+170.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.