Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM110P08-11L-E3
SUM110P08-11L-E3

SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix

sum110p0.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+165.82 грн
1600+159.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SUM110P08-11L-E3 за ціною від 162.26 грн до 410.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : Vishay sum110p0.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+187.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : VISHAY VISHS99690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 23723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+204.84 грн
250+185.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : Vishay sum110p0.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+226.37 грн
56+217.75 грн
100+210.36 грн
250+196.69 грн
500+177.17 грн
1000+165.92 грн
2500+162.26 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99315C9706860C7&compId=sum110p08-11l.pdf?ci_sign=b00849d55b9d0a4f8db1ee0b4ab972c332664d7c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+342.48 грн
4+244.69 грн
10+243.09 грн
11+231.14 грн
25+222.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : Vishay / Siliconix sum110p0.pdf MOSFETs 80V 110A 375W
на замовлення 80601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.67 грн
10+278.05 грн
100+173.69 грн
500+166.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : Vishay Siliconix sum110p0.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 36976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.63 грн
10+280.55 грн
100+201.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : VISHAY VISHS99690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0093 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 23723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+402.56 грн
10+307.28 грн
50+264.37 грн
100+204.84 грн
250+185.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA99315C9706860C7&compId=sum110p08-11l.pdf?ci_sign=b00849d55b9d0a4f8db1ee0b4ab972c332664d7c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+410.97 грн
4+304.92 грн
10+291.71 грн
11+277.36 грн
25+266.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : Vishay sum110p0.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 Виробник : Vishay sum110p0.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110P08-11L-E3 Виробник : Vishay sum110p0.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.