SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V
на замовлення 24200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 149.67 грн |
| 1600+ | 143.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SUM110P08-11L-E3 за ціною від 129.54 грн до 427.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM110P08-11L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM110P08-11L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 17539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM110P08-11L-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -110A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.27µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM110P08-11L-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -80V Drain current: -110A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.27µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 608 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM110P08-11L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 80V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 13.6W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 40 V |
на замовлення 24699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM110P08-11L-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 80V 110A 375W |
на замовлення 78559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM110P08-11L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM110P08-11L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0112 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 17556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM110P08-11L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SUM110P08-11L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |