SUM40012EL-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 91.76 грн |
| 1600+ | 82.28 грн |
| 2400+ | 80.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM40012EL-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm.
Інші пропозиції SUM40012EL-GE3 за ціною від 81.66 грн до 261.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM40012EL-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 40V Vds +/-20V Vgs TO-263 |
на замовлення 1761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SUM40012EL-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.67mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10930 pF @ 20 V |
на замовлення 2408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUM40012EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
SUM40012EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM40012EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00139ohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
SUM40012EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SUM40012EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A Case: TO263 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A On-state resistance: 2.24mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Gate charge: 195nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A Mounting: SMD кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SUM40012EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A Case: TO263 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A On-state resistance: 2.24mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Gate charge: 195nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 300A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |