Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM40014M-GE3
SUM40014M-GE3

SUM40014M-GE3 Vishay Siliconix

sum40014m.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+104.11 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM40014M-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUM40014M-GE3 за ціною від 133.14 грн до 295.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUM40014M-GE3 SUM40014M-GE3 Vishay Siliconix sum40014m.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.58 грн
10+188.12 грн
100+133.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 SUM40014M-GE3 Vishay / Siliconix sum40014m.pdf MOSFETs TO263 N-CH 40V 200A
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 SUM40014M-GE3 VISHAY VISH-S-A0012984070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 SUM40014M-GE3 VISHAY VISH-S-A0012984070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 Vishay sum40014m.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 200A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.36 грн
10+221.22 грн
25+218.98 грн
50+209.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 sum40014m.pdf
SUM40014M-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
на замовлення 4466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.58 грн
10+188.12 грн
100+133.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 sum40014m.pdf
SUM40014M-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 N-CH 40V 200A
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 VISH-S-A0012984070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM40014M-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 VISH-S-A0012984070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM40014M-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM40014M-GE3 sum40014m.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 200A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+238.36 грн
10+221.22 грн
25+218.98 грн
50+209.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.