SUM45N25-58-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 45A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 166.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM45N25-58-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUM45N25-58-E3 за ціною від 159.81 грн до 493.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SUM45N25-58-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
на замовлення 4939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUM45N25-58-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 250V 45A 375W 58mohm @ 10V |
на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUM45N25-58-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM45N25-58-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUM45N25-58-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
SUM45N25-58-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SUM45N25-58-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
SUM45N25-58-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SUM45N25-58-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 45A; Idm: 90A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 45A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 163mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |