Продукція > VISHAY / SILICONIX > SUM50020EL-GE3
SUM50020EL-GE3

SUM50020EL-GE3 Vishay / Siliconix

sum50020el.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+292.74 грн
10+218.04 грн
100+150.83 грн
800+133.92 грн
2400+123.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM50020EL-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SUM50020EL-GE3 за ціною від 253.27 грн до 377.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 VISHAY VISH-S-A0001383419-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+377.43 грн
10+253.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 Vishay Siliconix sum50020el.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 VISHAY VISH-S-A0001383419-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 Vishay Siliconix sum50020el.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 VISH-S-A0001383419-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM50020EL-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+377.43 грн
10+253.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 sum50020el.pdf
SUM50020EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 VISH-S-A0001383419-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM50020EL-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 sum50020el.pdf
SUM50020EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.