Продукція > VISHAY > SUM50020EL-GE3
SUM50020EL-GE3

SUM50020EL-GE3 VISHAY

VISH-S-A0001383419-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+177.44 грн
500+155.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM50020EL-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUM50020EL-GE3 за ціною від 128.74 грн до 305.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001383419-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+283.90 грн
10+222.83 грн
100+177.44 грн
500+155.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sum50020el.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.55 грн
10+227.58 грн
100+157.44 грн
800+139.78 грн
2400+128.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum50020el.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum50020el.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM50020EL-GE3 Виробник : VISHAY sum50020el.pdf SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.