на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM55P06-19L-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SUM55P06-19L-E3 за ціною від 63.41 грн до 215.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 23200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -31A; 125W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -31A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V 55A 125W |
на замовлення 5096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
на замовлення 3913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -31A; 125W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -31A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 565 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Siliconix |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |