SUM55P06-19L-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 55A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 105.58 грн |
| 1600+ | 86.26 грн |
| 2400+ | 81.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM55P06-19L-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SUM55P06-19L-E3 за ціною від 66.76 грн до 235.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -31A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -31A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -31A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -31A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 115nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 55A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
на замовлення 2421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V 55A 125W |
на замовлення 7822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM55P06-19L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SUM55P06-19L-E3 TSUM55P06-19l кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SUM55P06-19L-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |