Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM60020E-GE3
SUM60020E-GE3

SUM60020E-GE3 Vishay Siliconix

sum60020e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+101.11 грн
1600+92.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM60020E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00175ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SUM60020E-GE3 за ціною від 124.80 грн до 447.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 VISHAY VISH-S-A0024174240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+196.24 грн
250+177.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Vishay Siliconix sum60020e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.90 грн
10+177.30 грн
100+124.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Vishay sum60020e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.65 грн
10+251.85 грн
100+205.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Vishay sum60020e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+342.65 грн
57+251.85 грн
100+205.55 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Vishay / Siliconix sum60020e.pdf MOSFETs TO263 N-CH 80V 150A
на замовлення 13060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.28 грн
10+289.37 грн
100+181.14 грн
500+157.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 VISHAY VISH-S-A0024174240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.28 грн
10+293.56 грн
50+252.45 грн
100+196.24 грн
250+177.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 VISHAY sum60020e.pdf Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - MOSFET, N-CH, 80V, 150A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.33 грн
10+405.39 грн
25+381.55 грн
50+332.15 грн
100+279.11 грн
500+259.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 VISH-S-A0024174240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM60020E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+196.24 грн
250+177.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
SUM60020E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+279.90 грн
10+177.30 грн
100+124.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
SUM60020E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+342.65 грн
10+251.85 грн
100+205.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
SUM60020E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
42+342.65 грн
57+251.85 грн
100+205.55 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
SUM60020E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 N-CH 80V 150A
на замовлення 13060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+438.28 грн
10+289.37 грн
100+181.14 грн
500+157.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 VISH-S-A0024174240-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM60020E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+438.28 грн
10+293.56 грн
50+252.45 грн
100+196.24 грн
250+177.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
SUM60020E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - MOSFET, N-CH, 80V, 150A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+447.33 грн
10+405.39 грн
25+381.55 грн
50+332.15 грн
100+279.11 грн
500+259.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.