Продукція > VISHAY > SUM60020E-GE3
SUM60020E-GE3

SUM60020E-GE3 Vishay


sum60020e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+115.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM60020E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00175ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUM60020E-GE3 за ціною від 103.73 грн до 280.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Виробник : VISHAY sum60020e.pdf Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+138.71 грн
250+125.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Виробник : Vishay sum60020e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+204.07 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum60020e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.82 грн
10+187.83 грн
100+138.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Виробник : VISHAY sum60020e.pdf Description: VISHAY - SUM60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.00175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00175ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+265.74 грн
10+198.07 грн
50+174.13 грн
100+138.71 грн
250+125.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sum60020e.pdf MOSFETs TO263 N CHAN 80V
на замовлення 16657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.66 грн
10+205.59 грн
100+147.14 грн
250+141.99 грн
500+126.54 грн
800+108.15 грн
2400+103.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Виробник : Vishay sum60020e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Виробник : Vishay sum60020e.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 Виробник : VISHAY sum60020e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 SUM60020E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum60020e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60020E-GE3 Виробник : VISHAY sum60020e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.47mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 227nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.