Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM60061EL-GE3
SUM60061EL-GE3

SUM60061EL-GE3 Vishay Siliconix

sum60061el.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+180.78 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM60061EL-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 6100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SUM60061EL-GE3 за ціною від 213.07 грн до 707.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 VISHAY sum60061el.pdf Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 150A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 Vishay Siliconix sum60061el.pdf Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.34 грн
10+291.09 грн
100+213.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 VISHAY VISH-S-A0024174183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 6100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+481.46 грн
100+353.56 грн
500+304.86 грн
1000+275.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 Vishay sum60061el.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+559.35 грн
10+407.77 грн
100+347.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 Vishay sum60061el.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+559.35 грн
35+407.77 грн
100+347.95 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 Vishay / Siliconix sum60061el.pdf MOSFETs TO263 P-CH 80V 150A
на замовлення 10949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+625.66 грн
10+420.78 грн
100+268.84 грн
500+252.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 VISHAY VISH-S-A0024174183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 6100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+707.12 грн
10+481.46 грн
100+353.56 грн
500+304.86 грн
1000+275.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
SUM60061EL-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 150A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+356.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
SUM60061EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+449.34 грн
10+291.09 грн
100+213.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 VISH-S-A0024174183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM60061EL-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 6100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+481.46 грн
100+353.56 грн
500+304.86 грн
1000+275.82 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
SUM60061EL-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+559.35 грн
10+407.77 грн
100+347.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
SUM60061EL-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
26+559.35 грн
35+407.77 грн
100+347.95 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
SUM60061EL-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 P-CH 80V 150A
на замовлення 10949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+625.66 грн
10+420.78 грн
100+268.84 грн
500+252.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 VISH-S-A0024174183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUM60061EL-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 6100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+707.12 грн
10+481.46 грн
100+353.56 грн
500+304.86 грн
1000+275.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.