SUM60061EL-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 190.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM60061EL-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 6100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUM60061EL-GE3 за ціною від 212.72 грн до 536.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM60061EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 6100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0051ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM60061EL-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V |
на замовлення 8494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM60061EL-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO263 P-CH 80V 150A |
на замовлення 6087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM60061EL-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 6100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM60061EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
SUM60061EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SUM60061EL-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |