Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM60061EL-GE3
SUM60061EL-GE3

SUM60061EL-GE3 Vishay Siliconix

sum60061el.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+177.13 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM60061EL-GE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SUM60061EL-GE3 за ціною від 208.78 грн до 554.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 Vishay Siliconix sum60061el.pdf Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.29 грн
10+285.22 грн
100+208.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 Vishay sum60061el.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.37 грн
10+404.14 грн
100+344.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 Vishay sum60061el.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+554.37 грн
35+404.14 грн
100+344.86 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 VISHAY sum60061el.pdf Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 150A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 SUM60061EL-GE3 Vishay / Siliconix sum60061el.pdf MOSFETs TO263 P-CH 80V 150A
на замовлення 10949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
SUM60061EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
на замовлення 8494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+440.29 грн
10+285.22 грн
100+208.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
SUM60061EL-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+554.37 грн
10+404.14 грн
100+344.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
SUM60061EL-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
26+554.37 грн
35+404.14 грн
100+344.86 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
SUM60061EL-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM60061EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 150A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
SUM60061EL-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 P-CH 80V 150A
на замовлення 10949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.