Продукція > VISHAY > SUM60N10-17-E3
SUM60N10-17-E3

SUM60N10-17-E3 VISHAY

72070.pdf Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.49 грн
10+115.44 грн
11+87.15 грн
29+81.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM60N10-17-E3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SUM60N10-17-E3 за ціною від 98.16 грн до 277.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72070.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+144.40 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 Виробник : Vishay 72070.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+151.75 грн
10+127.34 грн
25+126.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 Виробник : Vishay 72070.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+163.42 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 Виробник : VISHAY 72070.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.99 грн
10+143.85 грн
11+104.58 грн
29+98.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 Виробник : Vishay Siliconix 72070.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.37 грн
10+175.45 грн
100+139.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 72070.pdf MOSFETs 100V 60A 150W
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.42 грн
10+188.21 грн
25+162.93 грн
100+124.76 грн
800+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 Виробник : VISHAY 72070.pdf Description: VISHAY - SUM60N10-17-E3 - MOSFET, N, TO-263
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+272.51 грн
10+188.53 грн
100+173.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 Виробник : Vishay 72070.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 Виробник : Vishay 72070.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.