на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 103.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM65N20-30-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SUM65N20-30-E3 за ціною від 143.28 грн до 350.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V 65A 375W 30mohm @ 10V |
на замовлення 2974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
на замовлення 1929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
SUM65N20-30-E3 Код товару: 192327
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |