Інші пропозиції SUM65N20-30-E3 за ціною від 136.94 грн до 460.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V 65A 375W 30mohm @ 10V |
на замовлення 3063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
SUM65N20-30-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
SUM65N20-30-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 65A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |