Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM70030E-GE3
SUM70030E-GE3

SUM70030E-GE3 Vishay Siliconix

sum70030e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+115.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM70030E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SUM70030E-GE3 за ціною від 114.05 грн до 339.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM70030E-GE3 SUM70030E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum70030e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+312.93 грн
10+199.26 грн
100+141.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3 SUM70030E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sum70030e.pdf MOSFETs 100V Vds; 20V Vgs TO-263
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.94 грн
10+232.72 грн
100+143.95 грн
800+114.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum70030e.pdf MOSFET N-CH 100V 150A TO263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70030E-GE3 Виробник : VISHAY sum70030e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 214nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.