SUM70030E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 140.48 грн |
| 1600+ | 115.83 грн |
| 2400+ | 109.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM70030E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm.
Інші пропозиції SUM70030E-GE3 за ціною від 109.21 грн до 274.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM70030E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM70030E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V |
на замовлення 4637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUM70030E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUM70030E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds; 20V Vgs TO-263 |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM70030E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM70030E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUM70030E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SUM70030E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SUM70030E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A On-state resistance: 3.48mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 214nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Mounting: SMD Case: TO263 кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SUM70030E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A On-state resistance: 3.48mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 214nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Mounting: SMD Case: TO263 |
товар відсутній |