SUM70040M-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 100.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM70040M-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SUM70040M-GE3 за ціною від 105.64 грн до 296.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUM70040M-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM70040M-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V |
на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SUM70040M-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM70040M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUM70040M-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L |
на замовлення 2234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SUM70040M-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SUM70040M-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SUM70040M-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SUM70040M-GE3 | Виробник : VISHAY |
SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |