Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SUM70060E-GE3
SUM70060E-GE3

SUM70060E-GE3 Vishay Semiconductors

sum70060e.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 11113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.25 грн
10+137.69 грн
100+84.90 грн
800+62.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM70060E-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SUM70060E-GE3 за ціною від 90.10 грн до 209.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum70060e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.59 грн
10+130.85 грн
100+90.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3
Код товару: 180235
Додати до обраних Обраний товар

sum70060e.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Виробник : Vishay sum70060e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Виробник : Vishay sum70060e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Виробник : Vishay sum70060e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 Виробник : VISHAY sum70060e.pdf SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum70060e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.