Продукція > VISHAY SILICONIX > SUM70101EL-GE3
SUM70101EL-GE3

SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix

sum70101el.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+131.26 грн
1600+124.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SUM70101EL-GE3 за ціною від 131.16 грн до 380.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 VISHAY sum70101el.pdf Description: VISHAY - SUM70101EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.35 грн
10+214.24 грн
25+193.30 грн
50+160.04 грн
100+131.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix sum70101el.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.06 грн
10+223.91 грн
100+159.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 SUM70101EL-GE3 Vishay Semiconductors sum70101el.pdf MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 3297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.95 грн
10+250.08 грн
100+155.33 грн
500+136.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix sum70101el.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50, Qg, нКл = 190, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: TO-263 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+367.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
SUM70101EL-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM70101EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+321.35 грн
10+214.24 грн
25+193.30 грн
50+160.04 грн
100+131.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
SUM70101EL-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.06 грн
10+223.91 грн
100+159.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
SUM70101EL-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 3297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+380.95 грн
10+250.08 грн
100+155.33 грн
500+136.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50, Qg, нКл = 190, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: TO-263 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+367.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.