SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 143.16 грн |
| 2400+ | 126.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUM70101EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 375W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції SUM70101EL-GE3 за ціною від 163.62 грн до 451.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUM70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUM70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUM70101EL-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V |
на замовлення 59236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUM70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 14289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUM70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 14289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SUM70101EL-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263 |
на замовлення 3297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SUM70101EL-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUM70101EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 375W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SUM70101EL-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SUM70101EL-GE3 | Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50, Qg, нКл = 190, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: TO-263 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 192.54 грн |
| SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 64+ | 223.47 грн |
| SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
на замовлення 59236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 381.40 грн |
| 10+ | 244.26 грн |
| 50+ | 191.36 грн |
| 100+ | 163.62 грн |
| SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 14289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 32+ | 448.71 грн |
| 44+ | 324.26 грн |
| 100+ | 230.91 грн |
| 500+ | 200.94 грн |
| 800+ | 177.93 грн |
| SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 14289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 451.14 грн |
| 10+ | 326.03 грн |
| 100+ | 232.16 грн |
| 500+ | 202.03 грн |
| 800+ | 178.90 грн |
| SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263
MOSFETs -100V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 3297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM70101EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - SUM70101EL-GE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 120A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SUM70101EL-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50, Qg, нКл = 190, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: TO-263 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50, Qg, нКл = 190, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: TO-263 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 367.29 грн |





