SUM80090E-GE3

SUM80090E-GE3 Vishay Siliconix


sum80090e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+109.77 грн
1600+99.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM80090E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUM80090E-GE3 за ціною від 90.71 грн до 304.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM80090E-GE3 SUM80090E-GE3 Виробник : Vishay sum80090e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 SUM80090E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001817919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 15866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.09 грн
500+100.53 грн
1000+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 SUM80090E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sum80090e.pdf MOSFET 150V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 7410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.12 грн
10+191.94 грн
25+157.47 грн
100+134.25 грн
250+126.99 грн
500+120.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 SUM80090E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001817919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 0.0075 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 15866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+255.61 грн
10+178.28 грн
100+144.09 грн
500+100.53 грн
1000+90.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 SUM80090E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum80090e.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.57 грн
10+192.75 грн
100+135.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM80090E-GE3 Виробник : VISHAY sum80090e.pdf SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.