SUM85N15-19-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 245.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM85N15-19-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SUM85N15-19-E3 за ціною від 182.20 грн до 406.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUM85N15-19-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SUM85N15-19-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO263Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SUM85N15-19-E3 |
|
на замовлення 6400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
