Продукція > VISHAY > SUM90140E-GE3
SUM90140E-GE3

SUM90140E-GE3 VISHAY

sum90140e.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+155.18 грн
500+119.55 грн
1000+102.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM90140E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SUM90140E-GE3 за ціною від 102.31 грн до 332.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM90140E-GE3 SUM90140E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sum90140e.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.47 грн
10+200.16 грн
100+129.97 грн
500+115.53 грн
800+106.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 SUM90140E-GE3 Виробник : VISHAY sum90140e.pdf Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+332.52 грн
10+196.95 грн
100+155.18 грн
500+119.55 грн
1000+102.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 SUM90140E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum90140e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 SUM90140E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum90140e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.