SUM90140E-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM90140E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm.
Інші пропозиції SUM90140E-GE3 за ціною від 129.75 грн до 227.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SUM90140E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
SUM90140E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 375W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm |
на замовлення 3354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUM90140E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SUM90140E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SUM90140E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SUM90140E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 227.58 грн |
| 10+ | 209.42 грн |
| 25+ | 207.54 грн |
| 100+ | 168.65 грн |
| 250+ | 152.80 грн |
| 500+ | 129.75 грн |



