SUM90140E-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 4496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SUM90140E-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 75A; 125W; D2PAK,TO263, Case: D2PAK; TO263, Mounting: SMD, Power dissipation: 125W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 64nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 75A, On-state resistance: 17mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SUM90140E-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SUM90140E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 75A; 125W; D2PAK,TO263 Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 64nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 75A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
SUM90140E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK |
товар відсутній |
||
SUM90140E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK |
товар відсутній |
||
SUM90140E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 75A; 125W; D2PAK,TO263 Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Gate charge: 64nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 75A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |