Продукція > VISHAY > SUM90140E-GE3
SUM90140E-GE3

SUM90140E-GE3 VISHAY

VISH-S-A0001814106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+156.43 грн
500+125.38 грн
1000+113.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SUM90140E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SUM90140E-GE3 за ціною від 105.68 грн до 251.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUM90140E-GE3 SUM90140E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sum90140e.pdf MOSFETs 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.02 грн
10+203.40 грн
25+152.65 грн
100+135.77 грн
250+132.84 грн
500+130.64 грн
800+105.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 SUM90140E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001814106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM90140E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0138 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+251.11 грн
10+182.77 грн
100+156.43 грн
500+125.38 грн
1000+113.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 Виробник : VISHAY sum90140e.pdf SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 SUM90140E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum90140e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90140E-GE3 SUM90140E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sum90140e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.